1 nm. C’est la finesse de gravure d’un transistor à laquelle sont parvenus des chercheurs américains. Toutefois, leur technique ne sauvera pas la loi de Moore.
Schéma du transistor de 1 nm (crédit : Sujay Desai/UC Berkeley)
Les puces actuelles sont gravées en 14 nm et nous devrions découvrir les premières en 10 nm l’an prochain. Des merveilles de technologie qui paraissent pourtant bien grossières face au premier transistor de 1 nanomètre créé par des chercheurs de l’université de Berkeley aux États-Unis.
Au-delà du silicium
C’est une véritable prouesse qu’ont réalisé Ali Javey et son équipe du Lawrence Berkeley National Laboratory, car le consensus scientifique est qu’il est impossible de graver des transistors de moins de 5 nm dans du silicium. Au-delà, les électrons ne sont plus suffisamment isolés et migrent naturellement, même lorsque le transistor est censé être fermé.
Pour descendre à 1 nm, les chercheurs ont donc eu recours à de nouveaux matériaux : sur un substrat de silicium, ils ont construit un transistor dont la grille est un nanotube carbone et le canal est fait de disulfure de molybdène. Reste maintenant aux chercheurs à inventer les processus de production en grande série de ces transistors nouveaux.
