Un module DDR5 capable d’atteindre une vitesse de transfert de 7 200 Mbit/s.
Samsung présente une barrette mémoire DDR5 d’une capacité de 512 Go. Pour la concevoir, le fabricant coréen a eu recours à des interconnexions TSV (Through Silicon Via) ; il est parvenu à empiler jusqu’à 8 couches de puces DRAM de 16 Gb.
Par ailleurs, afin de limiter la dispersion de courant, phénomène accentué par une couche isolante amincie, Samsung a misé sur la technologie HKMG (High-K Metal Gate). Ce procédé consiste à utiliser un matériau diélectrique high-κ plutôt que le traditionnel dioxyde de silicium. Selon l’entreprise, en résulte une réduction de la consommation de 13 % par rapport aux anciens dispositifs. Notez que Samsung a inauguré la technologie HKMG en 2018 avec ses dispositifs mémoire GDDR6.
Des résultats de benchmarks pour un système Alder Lake-S associé à de la DDR5-6400
En attendant les processeurs EPYC Genoa et Xeon Scalable Sapphire Rapids
En matière de performance, Samsung indique que sa barrette mémoire de 512 Go atteint une vitesse maximale de 7 200 Mbit/s. C’est une valeur “plus de deux fois supérieures à celles de la DDR4”.
Logiquement, ce type de produits ne se destine pas à nos PC fixes. En effet, Samsung cible “le domaine des supercalculateurs, de l’intelligence artificielle (IA) et de l’apprentissage automatique (ML), ainsi que des applications d’analyse de données”.
Young-Soo Sohn, vice-président de la branche mémoire DRAM chez Samsung Electronics, déclare : “Samsung est la seule société de semi-conducteurs à disposer des capacités logiques et matérielles et de l’expertise nécessaire pour intégrer la technologie de pointe HKMG dans le développement de produits de mémoire. En apportant ce type de procédé à la fabrication de DRAM, nous sommes en mesure d’offrir à nos clients des solutions de mémoire à la fois performantes et économes en énergie pour alimenter les ordinateurs nécessaires à la recherche médicale, aux marchés financiers, à la conduite autonome, aux villes intelligentes et au-delà.”
Carolyn Duran, vice-président et directeur général de la branche mémoire chez Intel, partage cet avis. Elle explique : “Alors que la quantité de données à déplacer, stocker et traiter augmente de façon exponentielle, la transition vers la DDR5 arrive à un point d’inflexion critique pour les centres de données en nuage et les serveurs”.
Samsung teste actuellement ses solutions DDR5 avec ses partenaires. Enfin, rappelons que la prise en charge de la DDR5 au sein des centres de données sera soutenue par le lancement des processeurs EPYC Genoa d’AMD et Xeon Scalable Sapphire Rapids d’Intel.
Source : Samsung
