Intel 4 : la taille ne compte pas forcément lorsqu’il s’agit de performances

Le nœud de processus Intel 4, qui sera utilisé pour les prochains processeurs Meteor Lake devrait offrir des performances et une efficacité énergétique équivalent aux nœuds de 3 nm, mais supérieur aux nœuds 5 nm

Intel a récemment fait part de sa confiance dans son nœud de processus Intel 4, par l’intérmédiaire de William Grimm, l’un des directeurs de la compagnie, qui sera utilisé dans les prochains processeurs Meteor Lake attendus pour septembre 2023. Ce nœud de processus, qui correspond à une finesse de gravure de 7 nm, serait plus performant et plus économe en énergie que le précédent nœud Intel 7 de 10 nm. Il serait également compétitif par rapport aux nœuds de 3 nm et 5 nm développés par ses rivaux TSMC et Samsung.

Meteor Lake Intel
Meteor Lake © Intel

Gravure 7 nm, mais une densité de transistors aussi élevée grâce à l’EUV

Le nœud de processus Intel 4 se distingue par l’utilisation de la lithographie EUV (Extreme Ultraviolet), une technologie qui permet d’augmenter la densité des transistors sur une puce en utilisant des longueurs d’onde plus courtes pour graver les motifs. Selon le cabinet d’études IC Knowledge, cette technologie permettrait à Intel de doubler la densité des transistors par rapport au nœud Intel 7, passant de 100,8 millions à 200,8 millions de transistors par mm². Cette augmentation de la densité se traduirait par une amélioration des performances et une réduction de la consommation d’énergie des processeurs.

Le nœud de processus Intel 4 ne se contente pas d’améliorer les caractéristiques du nœud Intel 7, il se positionne également comme un concurrent sérieux face aux nœuds développés par TSMC et Samsung, les deux principaux acteurs du marché des fonderies. Selon IC Knowledge, le nœud Intel 4 serait supérieur au nœud 5 nm de TSMC, qui affiche une densité de transistors de 173 millions par mm², et équivalent au nœud 3 nm de TSMC, qui atteint une densité de 292 millions par mm². Le nœud Intel 4 serait également comparable au nœud 3 nm de Samsung, qui revendique une densité de transistors de 230 millions par mm².

Le nœud de processus Intel 4 introduit également une innovation majeure avec le PowerVia, un système d’alimentation qui fonctionne par le dessous du silicium, au lieu du dessus comme c’est le cas habituellement. Ce système permettrait d’éliminer les problèmes de goulot d’étranglement dans l’interconnexion des transistors, et d’augmenter ainsi l’efficacité et l’utilisation des puces. Le PowerVia sera utilisé dans les E-Cores Meteor Lake, qui sont les cœurs à haute efficacité énergétique des processeurs hybrides d’Intel.

Usine D1X Intel dans l'Oregon
Usine D1X Intel dans l’Oregon © Intel

Le nœud de processus Intel 4 est déjà en production dans l’usine D1 d’Intel située dans l’Oregon (D1C, D1D, D1X), avec une capacité totale d’environ 40 000 puces par mois pour l’ensemble des processus. L’usine Fab 34 située en Irlande devrait également participer à la production du nœud Intel 4, mais elle est actuellement en phase d’évaluation avec des puces tests. Le nœud Intel 4 sera utilisé pour fabriquer les processeurs Meteor Lake, qui sont les successeurs des processeurs Raptor Lake et Alder Lake basés sur le nœud Intel 7. Les processeurs Meteor Lake sont attendus pour septembre 2023, et devraient offrir des gains significatifs en termes de performances et d’efficacité énergétique.

Le nœud de processus Intel 4 est donc un nœud prometteur pour Intel, qui lui permet de rattraper son retard sur ses concurrents et de se positionner comme un acteur innovant dans le domaine des fonderies. Intel ne compte pas s’arrêter là, puisque l’entreprise a déjà annoncé les nœuds 20A et 18A pour 2024.

Source : theelec