Les transistors GAAFET de Samsung arriveraient un peu plus tard que prévu.
Samsung avait déjà rencontré quelques difficultés lors du passage au 5 nm EUV, et la firme coréenne accuserait désormais du retard pour son ambitieux nœud de fabrication en 3 nm, initialement prévu pour 2022 : la production de masse ne débuterait qu’en 2024 selon SemiAnalysis.
Le site s’appuie sur les déclarations de Chidi Chidambaram, vice-président de Qualcomm, l’un des clients de Samsung (Snapdragon). Lors d’un évènement organisé par Applied Materials, il aurait déclaré qu’il ne fallait pas attendre les transistors GAA (Gate All Around) au plus tôt en 2023, et qu’il estimait qu’un début de production en 2024 était une projection plus raisonnable.
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Le 3 nm FinFET en 2022 chez TSMC
Chez Samsung, le 3 nm est synonyme de transistors Gate All Around FET, MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor) pour la marque déposée. Comme l’explique SemiAnalysis, le processus d’amélioration des dernières générations FinFET consistait principalement en une réduction de la largueur des canaux de silicium. Or, cette stratégie s’essouffle à mesure que les fondeurs se rapprochent des limites de la finesse de gravure. Pour contourner cette impasse, des nouveaux matériaux ou techniques seront nécessaires : les transistors GAA FinFet représentent l’une des principales alternatives.
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En supposant que le 3 nm de Samsung, appelé 3GAE, arrive effectivement avec un peu de retard (ce qui reste à confirmer), cela renforcerait l’hégémonie de TSMC. Le fondeur taïwanais prévoit une production de masse en 3 nm dès l’année prochaine. Viendra ensuite le 3 nm Plus en 2023, puis le 2 nm en 2024. Cependant, contrairement à Samsung, le 3 nm de TSMC implique toujours des transistors FinFET. En effet, l’adoption de transistors GAA n’aura lieu que lors du passage au 2 nm.
Source : SemiAnalysis
