Jusqu’à 819 Go/s et une tension de fonctionnement abaissée à 1,1 V.
Le JEDEC a publié les normes officielles de la DRAM HMB3 (High Bandwidth Memory). Selon l’organisme, la HBM3 apporte des gains sur trois aspects : débit, capacité et consommation.
Le JEDEC énumère plusieurs attributs clefs. En matière de bande passante, la DRAM HMB3 double les débits par broche par rapport au HBM2 : ils atteignent désormais 6,4 Gbit/s, soit 819 Go/s par dispositif (418 Go/s pour la HMB2).
La HBM3 double également le nombre de canaux qui passent de 8 à 16. Elle supporte ainsi jusqu’à 32 canaux virtuels.
Cette mémoire supporte des empilements TSV (through silicon via) de 4, 8 et 12 couches. Le JEDEC n’exclut pas la possibilité d’une extension future autorisant 16 couches.
Amélioration également du côté de la densité, avec une gamme allant désormais de 8 à 32 Gb, pour des dispositifs d’une capacité de 4 Go (8 Gb, 4 couches) à 64 Go (32 Gb, 16 couches ; le 64 Go reste donc hypothétique à ce stade).
Enfin, le JEDEC renseigne une tension de fonctionnement réduite à 1,1 V (au lieu de 1,2 V pour la HBM2) et une signalisation à faible oscillation (0,4 V) sur l’interface hôte. La HMB3 bénéficie d’un CCE (Code de Correction d’Erreurs) renforcé selon le JEDEC, qui qualifie cette mémoire de solution RAS (Reliability, Availability, Serviceability).
896 Go/s finalement pour la HBM3 de SK Hynix
Déclarations
Le communiqué s’accompagne de déclarations de représentants de SK Hynix, Micron, Synopsys ou encore NVIDIA. En voici quelques-unes.
“Avec ses performances améliorées et sa fiabilité, HBM3 va soutenir de nouvelles applications nécessitant une bande passante et une capacité de mémoire importantes” déclare Barry Wagner, directeur du marketing technique chez NVIDIA et président du sous-comité HBM du JEDEC.
Mark Montierth, vice-président et directeur général de la mémoire haute performance chez Micron : “La HBM3 permettra à l’industrie d’atteindre des seuils de performance encore plus élevés avec une fiabilité améliorée et une consommation d’énergie plus faible”.
Source : TechPowerUp, JEDEC
