Pour mémoire NAND Octa-Level.
En mai 2018, Micron a introduit la technologie NAND Quad-Level (QLC). WCCFTech nous informe que le fabricant pourrait sortir de la NAND Octa-Level Cell (OLC) au premier semestre 2019. Micron a répondu en indiquant que le contenu de l’article n’était que pure spéculation. Notre confrère maintient tout de même ses dires en s’appuyant en particulier sur un partenaire de Micron qui confirmerait le lancement pour le premier semestre 2019.
1 octet par cellule
La première forme de NAND était de type SLC (Single-Level Cell), suivie de MLC (Multi-Level Cell), puis de TLC (Tri-Level Cell) et enfin de QLC (Quad-Level Cell). La mémoire SLC consiste en une seule couche de cellules et comporte 1 bit par cellule, la MLC de deux couches de cellules pour 2 bits par cellule, etc. La technologie mémoire OLC comportera donc 8 bits par cellule, soit une augmentation de 100 % par rapport à la QLC. Ainsi, elle sera la première à proposer 1 octet par cellule.
Pendant ce temps les performances, et la durabilité, chutent d’autant plus que le nombre de cellules augmente.
Les performances actuellement affichées en façade par les solutions à couches multiples sont, en partie, de la poudre aux yeux. Elles reposent sur l’usage d’un cache tampon (en SLC sans doute), mais s’effondrent dès que la capacité du dit cache est atteinte.
La supercherie n’est possible que grâce aux actuels tests qui ne testent que sur un courts labs de temps, et à la presse qui utilise ces tests sans se poser plus de questions et sans faire de tests pratiques réellement poussés.
Ceci dit, plus le nombre de couches augmente, plus les prix baissent en conséquence. Pour certains usages, ces performance excellentes, mais de courte durée, sont suffisantes. Mais ce n’est pas le cas pour tous les usages.
Quand la presse va t-elle se mettre à soulever le problème, à faire des tests réalistes sur les SSD et à montrer les chiffres réels, en situation, sous un stress maintenu ?
“Notons au passage que certains constructeurs, pour améliorer les performances en écriture de leurs SSD, utilisent une partie (quelques Go) des cellules de mémoire flash MLC/TLC comme de la mémoire SLC, avec 1 bit par cellule réellement utilisé. C’est par exemple le cas de Samsung avec se technologie TurboWrite.”
Source : notre comparatif de SSD externe, dans lequel certains tests utilisés couvrent la totalité de la capacité du SSD et “sortent” donc du cache pseudo-SLC (ce n’est pas de la vraie SLC).
Votre prose me donne l’impression que vous ne maitrisez pas totalement votre sujet.