Et fixe sa feuille de route pour ce que l’entreprise présente comme un “game changer” dans l’industrie de la mémoire ; pas certain que Samsung soit du même avis. Toujours est-il que Neo Semiconductor prévoit des IC de 1 Tbit en 2030.
En août 2021, l’entreprise Neo Semiconductor, basée à San Jose, brevetait la 3D X-DRAM. Elle a publié un communiqué il y a deux jours annonçant le lancement de cette mémoire qu’elle présente carrément comme un « game changer » dans l’industrie de la mémoire.
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Concrètement, comme nous l’expliquions dans la précédente actu consacrée à cette 3D X-DRAM, cette mémoire vise à combiner le meilleur de la SLC (Single-Level Cell) et de la QLC (Quad-Level Cell) : la vitesse de la première et la densité de la seconde. Le communiqué de Neo Semiconductor stipule ainsi que cette « première DRAM 3D de type NAND au monde vise à résoudre le problème du goulot d’étranglement de la capacité de la DRAM et à remplacer l’ensemble du marché de la DRAM 2D ».
La société explique que la 3D X-DRAM est la première structure de réseau de cellules DRAM 3D de type NAND basée sur la technologie des cellules à corps flottant sans condensateur et qu’elle peut être fabriquée à l’aide du processus 3D NAND-like actuel. Elle ne nécessite qu’un seul masque pour définir les trous de la ligne de bits et former la structure cellulaire à l’intérieur des trous, ce qui « simplifie les étapes du processus et offre une solution à grande vitesse, à haute densité, à faible coût et à haut rendement ».
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Des IC de 1 Tbit en 2030
Selon les estimations de Neo, la technologie 3D X-DRAM peut atteindre une densité de 128 Gbit avec 230 couches, soit huit fois la densité DRAM actuelle. Comme montré sur la diapositive ci-dessous, Neo Semiconducteur ambitionne des circuits intégrés de 1 Tbit d’ici 2030. En pratique, cela ouvrirait la voie à des dispositifs DIMM de 2 To (deux rangées de huit puces) assez facilement. Pour la comparaison avec de la DRAM 2D, les solutions de mémoire DDR4 plafonnent à 128 Go par module DIMM (32 circuits intégrés de 32 Gbit) ; les modules DIMM de DDR5 commercialisés actuellement proposent jusqu’à 64 Go (32 circuits intégrés de 16 Gbit). Reste que Samsung prévoit des circuits intégrés de 32 Gbit très prochainement, et que des modules de 1 To devraient voir le jour bien avant 2030 (plutôt début 2024).
Pour sa part, Andy Hsu, fondateur et PDG de NEO Semiconductor, estime que « la 3D X-DRAM sera le moteur absolu de la croissance future de l’industrie des semi-conducteurs. Aujourd’hui, je peux affirmer avec confiance que Neo est en train de devenir un leader incontestable sur le marché des DRAM 3D. Notre invention, comparée aux autres solutions actuellement sur le marché, est très simple et moins coûteuse à fabriquer et à mettre à l’échelle. L’industrie peut s’attendre à une amélioration de la densité et de la capacité de 8 fois par décennie grâce à notre 3D X-DRAM. »
Source : Neo Semiconductor
