Par rapport au 7 nm FinFET, le 3 nm MBCFET réduirait de 50 % la consommation.
Pour son 3 nm, prévu en 2022, Samsung mise sur le MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor). La semaine dernière, à l’occasion de l’IEEE ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), la firme coréenne a livré quelques détails. Elle a présenté une puce SRAM de 256 Gb d’une surface de 56 mm² gravée en 3 nm MBCFET.
Dans les transistors FinFET, les canaux de silicium sont orientés de manière verticale ; ce n’est pas le cas des transistors GAA (Gate-all-around). En effet, le MBCFET (marque de Samsung) les empile horizontalement à la manière de nanofeuilles. En outre, contrairement aux broches FinFET, les canaux d’un transistor GAA, sont, comme l’appellation l’explicite, entièrement entourés par la grille. L’intérêt du GAAFET est de pouvoir favoriser les performances ou une faible consommation en jouant précisément sur la largeur des canaux. Avec le FinFET, il est uniquement possible de doubler ou tripler cette largeur. Enfin, le dernier avantage du 3 nm par rapport au 7 nm est logiquement d’ augmenter la densité de transistors ou réduire la surface.
Samsung HBM-PIM : de la mémoire avec des capacités de traitement IA
Des performances en hausse de 30 %
En pratique, le 3GAE, le nom donné à ce nœud en 3 nm MBCFET, permettra d’améliorer les performances de 30 % (à puissance et complexité égales) ; d’abaisser la consommation de 50 % (à fréquences et complexité égales) ; de réduire la surface de 45 % par rapport au 7LPP.
Source : Tom’s Hardware US
