La production de masse de HBM3 prévue à partir du deuxième trimestre 2022.
Samsung a profité du Tech Day 2021 pour dévoiler sa feuille de route pour les mémoires. Au programme : DDR5 et DDR6, GDDR et HBM3.
Concernant la mémoire DDR5, Samsung a confirmé travailler sur des modules à 8400 MT/s. C’est une vitesse supérieure aux recommandations du JEDEC, qui plafonnent à 6400 MT/s. Bien sûr, celles-ci ne sont qu’indicatives et destinées à être outrepassées : Netac Technology planche par exemple sur de la DDR5-10000 tandis qu’Adata a évoqué de la DDR5-12600. D’ailleurs, Samsung avait déjà livré quelques détails sur un module de 512 Go en DDR5-7200 au cours de l’été.
Outre la DDR5, la firme coréenne a aussi parlé de la DDR6. Cette mémoire, toujours au début de son développement, s’annonce deux fois plus rapide que la DDR5 : la vitesse standard sera de 12 800 MT/s mais des modules OC à 17 000 MT/s sont déjà prévus. La capacité maximale des barrettes sera elle aussi doublée.
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De la GDDR7 à 32 Gbit/s
À propos de la mémoire GDDR, Samsung met au point des puces GDDR6+ capables de fonctionner à 27 Gbit/s. Pour la comparaison, la GDDR6X plafonne à 21 Gbit/s et la GDDR6 à 18 Gbit/s. La GDDR7, qui arrivera à une date inconnue, pourrait offrir un débit de 32 Gbit/s.
Enfin, au sujet de la mémoire HBM3, Samsung n’a donné aucun détail technique mais confirmé que le développement se déroulait comme prévu. La firme prévoit une mise sur le marché à partir du deuxième trimestre 2022. Du côté de la concurrence, SK Hynix a présenté le mois dernier des puces mémoire de 24 Go avec un débit de 6,4 Gbit/s.
Précisons que l’absence d’images illustratives provient du fait que Samsung n’a pas autorisé la capture et le partage des diapositives de la présentation. Toutes les données ont été rapportées par le site ComputerBase.
