Une mémoire que l’entreprise coréenne compare à la HBM2E.
Samsung présente un nouveau type de mémoire, la GDDR6W. Pour la firme coréenne, cette mémoire se destine principalement à soutenir le développement du métavers. Cette GDDR6W reprend les bases de la GDDR6 en introduisant une technologie appelée FOWLP, pour Fan-Out Wafer-Level Packaging. Elle permet d’améliorer la capacité et la bande passante sans pour autant nécessiter plus d’espace.
Comme le montre l’image ci-dessus, un même boîtier peut accueillir deux fois plus de puces mémoire GDDR6W, faisant ici passer la capacité de la DRAM de 16 Go à 32 Go et le nombre d’E/S de 32 à 64. En d’autres termes, la surface nécessaire à la mémoire et réduite de 50 % par rapport aux modèles précédents.
Sur le papier, le principe pour augmenter la capacité est simple : il suffit d’empiler . Mais forcément, en pratique, à partir de certains seuils et à mesure que l’industrie se rapproche des limites physiques de la taille des puces, l’empilement induit de fortes contraintes d’alimentation et de dissipation de la chaleur. La technologie FOWLP consiste à monter directement les dies mémoire sur une tranche de silicium plutôt que sur le PBC, ce qui permet de faire l’économie de la largeur du circuit imprimé, réduisant l’épaisseur du boîtier et améliorant la dissipation. Une autre technologie appelée RDL (Re-distribution layer) assure le câblage.
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Bande passante
Dans les faits, Samsung rapporte que la hauteur de la GDDR6W à base de FOWLP est de 0,7 mm, soit 36 % de moins que le boîtier précédent, qui mesurait 1,1 mm. Et bien que la puce soit multicouche, elle offre toujours les mêmes propriétés thermiques et les mêmes performances que la GDDR6 existante d’après la firme. Toutefois, la bande passante de la GDDR6W peut être doublée grâce à l’augmentation des E/S par boîtier.
La GDDR6W peut supporter une bande passante équivalente à celle de la HBM au niveau du système, note Samsung. La HBM2E a une bande passante au niveau système de 1,6 To/s via 4K E/S pour un débit de 3,2 Gbit/s par broche. La GDDR6W peut fournir une bande passante de 1,4 To/s via 512 E/S au niveau du système et un taux de transmission de 22 Gbit/s par broche. En outre, la réduction du nombre d’E/S à environ 1/8 par rapport à la HBM2E permet de se passer de microbilles, ce qui a pour conséquence d’améliorer la rentabilité en supprimant la couche d’interposition.
| Mémoire | GDDR6W | HBM2E |
| E/S système | 512 | 4096 |
| Vitesse de transmission par broche | 22 Gbit/s | 3,2 Git/s |
| Bande passante système | 1,4 To/s | 1,6 To/s |
Pour les PC portables et les centres de données
Samsung Electronics a achevé la normalisation JEDEC pour les produits GDDR6W au cours du deuxième trimestre de cette année. L’entreprise a annoncé qu’elle allait étendre l’application de la GDDR6W aux appareils à petit facteur de forme tels que les ordinateurs portables, ainsi qu’aux nouveaux accélérateurs haute performance utilisés pour les applications d’IA et de HPC, grâce à la coopération avec ses partenaires GPU.
CheolMin Park, vice-président de la planification au sein de la branche Samsung Electronics Memory Business, déclare : “En appliquant une technologie de conditionnement avancée à la GDDR6, la GDDR6W offre une capacité de mémoire et des performances deux fois supérieures à celles des boîtiers de taille similaire. Avec la GDDR6W, nous sommes en mesure de proposer des produits de mémoire différenciés qui peuvent satisfaire les différents besoins des clients – une étape importante pour assurer notre leadership sur le marché.”
Source : Samsung
