4200 Mo/s en lecture séquentielle, 2800 Mo/s en écriture séquentielle.
Samsung Electronics annonce le développement de sa solution Universal Flash Storage (UFS) 4.0, conforme à la norme de stockage JEDEC. La précédente norme était l’UFS 3.1.
L’UFS 4.0 permet jusqu’à 23,2 Gbit/s par ligne, deux fois plus que l’UFS 3.1. Les vitesses de lecture séquentielle sont susceptibles d’atteindre 6 Mo/s par mA, ce qui représente une amélioration de 46 % par rapport à la norme précédente.
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Début de la production de masse au troisième trimestre 2022
Pour ses dispositifs UFS 4.0, Samsung mobilise sa V-NAND de 7e génération associée à un contrôleur mémoire développé en interne. L’entreprise coréenne promet 4200 Mo/s en lecture séquentielle et jusqu’à 2800 Mo/s en écriture séquentielle. Ce sont des débits respectivement 2x et 1,6x plus rapides que pour les produits UFS 3.1.
Les dimensions maximales sont de 11 mm x 13 mm x 1 mm pour 1 To.
Le communiqué de presse de Samsung stipule : “L’UFS 4.0 un excellent compagnon pour les smartphones 5G dont les fonctions nécessitent de grandes quantités de traitement de données, comme les images haute résolution et les jeux mobiles à haute capacité, ainsi que pour les applications automobiles et AR/VR.”
La production de masse de dispositifs UFS 4.0 est prévue à partir du 3e trimestre 2022.
