De meilleures capacités et des fréquences plus élevées, ainsi qu’une tension abaissée à 1,1 V.
On sait maintenant que 2020 est l’année de la DDR5. Chez SK Hynix, on tablait aussi sur cette date pour la DDR5 début 2019, et la firme vient de publier un article détaillant les spécifications de celle-ci. Logiquement, elle apporte plusieurs améliorations par rapport à la DDR4.
Elle promet notamment des débits plus élevés. Ces derniers seraient compris entre 3200 et 8400 Mbit/s. La densité devrait aussi être améliorée, avec des modules de 8 à 64 Gb. Autre ajout important : l’extension du code correcteur d’erreurs (ECC) à l’ensemble de la matrice mémoire.
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32 banks
La DDR5 double le nombre de banks, avec 32 banks réparties en 8 groupes, là où la DDR4 se limite à 16 banks. Même hausse pour le Burst Lenght, à 16 au lieu de 8. On termine avec la consommation réduite à 1,1 V, contre 1,2 V pour la DDR4. Cela représente une diminution globale de la consommation d’énergie de 20 %.
Enfin, si du côté de Samsung, on prévoit le lancement de la production de masse de modules mémoire DDR5 en 2021, celle de SK-Hynix débutera cette année. La date exacte reste néanmoins inconnue. En ce qui concerne les processeurs compatibles, il ne faut pas les attendre au mieux avant 2021. Cela correspondrait aux puces Zen4 pour AMD et Alder Lake-S pour Intel.
Source : SK Hynix
“Elle promet notamment des fréquences plus élevées. Ces dernières seraient comprises entre 3200 et 8400 Mbit/s.” même si la fréquence conditionne le débit (ça n’est pas le seul paramètre), TH, vous serez gentil de corriger votre article : les Mbit/s ne sont pas une mesure de la fréquence, dont l’unité reste le Hertz. c’est un peu pénible sérieux, vous auriez pu corriger de vous même ce GROS raccourci qui est une erreur sur le slide d’origine….