L’entreprise lance la validation de son processus 1bnm. Elle prévoit de la DDR5 à 6,4 Gbit/s, 20 % moins énergivore que la DDR5 1anm, l’année prochaine. De la HBM3E à 8 Gbit/s est également attendue en 2024.
SK Hynix a annoncé qu’elle avait achevé le développement de son processus 1bnm (cinquième génération du processus 10 nm) pour la production de mémoire DDR5 et HBM3E. L’entreprise a débuté les évaluations avec Intel afin d’obtenir une validation Intel Data Center Certified pour les plates-formes Intel Xeon Scalable. Dans le même temps, SK Hynix précise que la validation par Intel de la DDR5 1anm (quatrième génération de la technologie 10 nm) est désormais terminée.
Selon le communiqué, la mémoire DDR5 basée sur le nœud 1bnm offre une vitesse de transfert de 6,4 Gbit/s, ce qui représente une amélioration de 33 % par rapport aux premiers modules de DDR5 qui fonctionnent à 4,8 Gbit/s. Il y a encore de la marge toutefois : SK Hynix rappelle que la vitesse maximale définie par le JEDEC pour la DDR5 est de 8,8 Gbit/s.
En outre, grâce au processus HKMG (high-K metal gate), les produits DDR5 en 1bnm réduisent la consommation d’énergie de plus de 20 % par rapport aux produits DDR5 en 1anm. Pour résumer, le HKMG consiste en l’ajout d’un matériau à haute constante diélectrique (K) dans le film isolant du transistor DRAM afin d’éviter les courants de fuite et améliorer la résistance.
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HBM3E l’année prochaine
L’autre information à retenir de cette annonce est le recours au processus 1bnm pour la HBM3E (HBM3 Extended). SK Hynix annonce un débit de 8 Gbit/s pour ces modules, soit une hausse de 25 % par rapport à la HBM3, ou de 700 % par rapport à la HMB de première génération (1 Gbit/s), laquelle remonte à 2013. Le début de la production de masse est prévu en 2024.
Jonghwan Kim, responsable du développement de la DRAM chez SK Hynix, a déclaré : « SK hynix s’attend à ce que le processus de validation du produit DDR5 1bnm avec Intel se déroule sans problème après la validation réussie de la compatibilité de notre produit DDR5 pour serveur 1anm avec les processeurs Intel Xeon Scalable de 4e génération. Alors que l’on s’attend de plus en plus à ce que le marché des mémoires commence à se rétablir à partir du second semestre, nous pensons que notre technologie DRAM de pointe, prouvée une nouvelle fois par la production de masse du processus 1bnm cette fois-ci, nous aidera à améliorer nos bénéfices à partir du second semestre ». Il ajoute que le processus 1bnm sera adopté pour une plus large gamme de produits tels que LPDDR5T et HBM3E au cours du premier semestre 2024.
Source : SK Hynix
