Sur le marché depuis 2014 dans des versions allant de 128 Go à 2 To, le SSD 850 EVO de Samsung est désormais disponible dans une capacité de 4 To grâce à l’utilisation de mémoire V-NAND 3D de troisième génération.
Sur le papier, le Samsung 850 EVO 4 To a tout pour plaire : des débits séquentiels de 540 Mo/s en lecture et 530 Mo/s en écriture, des performances aléatoires 4K culminant à 98 000 IOPS en lecture et 90 000 IOPS en écriture, et une capacité de stockage rivalisant avec de nombreux disques durs sur le marché. Notre laboratoire aux Etats-Unis a pu se procurer ce nouveau modèle de SSD, voici ce qu’il faut en retenir.
De la V-NAND 3D à 48 couches pour de hautes performances
La nouvelle mémoire V-NAND 3D à 48 couches de Samsung utilisée par ce SSD permet au constructeur de placer 256Gbit dans un seul die. Chacune des 8 puces de mémoire NAND regroupant 16 dies (soit 512 Go), on atteint donc une capacité globale de 4 To. Samsung n’a pas oublié de réserver une partie de la mémoire flash à l’overprovisioning : 96 GiB sont ainsi dédiés aux opérations internes du SSD (wear leveling, garbage collection). 46 Go sont également dédiés à la technologie TurboWrite, qui permet d’utiliser une partie de la mémoire flash TLC comme un cache de mémoire SLC, améliorant au passage les performances du SSD. Notons également que cette version 4 To utilise le même contrôleur MHX que le 850 EVO 2 To.
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Du côté des performances pratiques, notre laboratoire a pu mesurer des débits séquentiels de 544 Mo/s en lecture, avec seulement deux commandes en file d’attente comme l’on peut trouver en situation réelle d’utilisation. En écriture séquentielle, toujours avec une longueur réduite de file d’attente de commandes (QD2), le 850 EVO 4 To atteint 521 Mo/s. Les performances en écriture sont par ailleurs stables grâce à la présence d’un important cache « SLC ».
Les performances en accès aléatoires 4K sont du même ordre puisqu’on dépasse 23 000 IOPS en lecture avec une longueur de queue de commandes de seulement 2, et presque 64 000 IOPS en écriture aléatoire dans les mêmes conditions. Une nouvelle fois, ces très bonnes performances sont obtenues grâce à la technologie TurboWrite.
Une endurance certifiée de seulement 300 TBW
S’il fallait vraiment trouver un défaut au 850 EVO 4 To, ce serait peut être du côté de l’endurance : Samsung ne garantit en effet ce modèle que pour un total de 300 To écrits, ce qui représente « seulement » 75 écritures totales du SSD. Il ne s’agit toutefois que d’une valeur théorique, et de nombreux tests ont démontrés que la mémoire V-NAND supportait bien plus d’écritures que la valeur garantie. En résumé, le Samsung 850 EVO 4 To est un très bon modèle que nous pouvons sans crainte vous conseiller d’acheter, si par bonheur vous trouvez les 1500 euros nécessaires cachés au fond de votre portefeuille.
