{"id":791942,"date":"2023-05-05T19:40:00","date_gmt":"2023-05-05T17:40:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.tomshardware.fr\/?p=791942"},"modified":"2023-07-07T20:56:02","modified_gmt":"2023-07-07T18:56:02","slug":"neo-semiconducteur-lance-sa-3d-x-dram","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.tomshardware.fr\/neo-semiconducteur-lance-sa-3d-x-dram\/","title":{"rendered":"Neo Semiconductor lance sa 3D X-DRAM, de la DRAM qui ressemble \u00e0 de la flash NAND"},"content":{"rendered":"\n

En ao\u00fbt 2021, l\u2019entreprise Neo Semiconductor, bas\u00e9e \u00e0 San Jose, brevetait la 3D X-DRAM<\/a>. Elle a publi\u00e9 un communiqu\u00e9 il y a deux jours annon\u00e7ant le lancement de cette m\u00e9moire qu\u2019elle pr\u00e9sente carr\u00e9ment comme un \u00ab game changer \u00bb<\/em> dans l\u2019industrie de la m\u00e9moire.<\/p>\n\n\n\n

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\u00a9 Neo Semiconductor<\/figcaption><\/figure><\/div><\/div>\n\n\n\n
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\u00c0 lire > TSMC pr\u00e9voit d\u2019investir 10 milliards d\u2019euros pour construire une usine de fabrication en Europe<\/a><\/strong><\/p>\n\n\n\n

Concr\u00e8tement, comme nous l\u2019expliquions dans la pr\u00e9c\u00e9dente actu consacr\u00e9e \u00e0 cette 3D X-DRAM, cette m\u00e9moire vise \u00e0 combiner le meilleur de la SLC (Single-Level Cell<\/em>) et de la QLC (Quad-Level Cell<\/em>) : la vitesse de la premi\u00e8re et la densit\u00e9 de la seconde. Le communiqu\u00e9 de Neo Semiconductor stipule ainsi que cette \u00ab premi\u00e8re DRAM 3D de type NAND au monde vise \u00e0 r\u00e9soudre le probl\u00e8me du goulot d’\u00e9tranglement de la capacit\u00e9 de la DRAM et \u00e0 remplacer l’ensemble du march\u00e9 de la DRAM 2D \u00bb.<\/p>\n\n\n\n

La soci\u00e9t\u00e9 explique que la 3D X-DRAM est la premi\u00e8re structure de r\u00e9seau de cellules DRAM 3D de type NAND bas\u00e9e sur la technologie des cellules \u00e0 corps flottant sans condensateur et qu\u2019elle peut \u00eatre fabriqu\u00e9e \u00e0 l’aide du processus 3D NAND-like actuel. Elle ne n\u00e9cessite qu’un seul masque pour d\u00e9finir les trous de la ligne de bits et former la structure cellulaire \u00e0 l’int\u00e9rieur des trous, ce qui \u00ab simplifie les \u00e9tapes du processus et offre une solution \u00e0 grande vitesse, \u00e0 haute densit\u00e9, \u00e0 faible co\u00fbt et \u00e0 haut rendement \u00bb.<\/p>\n\n\n\n

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