{"id":890897,"date":"2024-05-31T18:40:54","date_gmt":"2024-05-31T16:40:54","guid":{"rendered":"https:\/\/www.tomshardware.fr\/?p=890897"},"modified":"2024-05-31T18:47:06","modified_gmt":"2024-05-31T16:47:06","slug":"amd-ferait-confiance-a-samsung-et-sa-technologie-3nm-gaafet-pour-graver-certaines-puces","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.tomshardware.fr\/amd-ferait-confiance-a-samsung-et-sa-technologie-3nm-gaafet-pour-graver-certaines-puces\/","title":{"rendered":"AMD ferait confiance \u00e0 Samsung et sa technologie GAAFET pour graver en 3nm certaines puces"},"content":{"rendered":"\n
\"Samsung
\u00a9Samsung (YT)<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n

Actuelle PDG d’AMD, Lisa Su a profit\u00e9 de l’ITF World 2024 pour annoncer que l’entreprise allait produire en masse des puces utilisant une technologie que seul Samsung Foundry maitrise actuellement<\/strong>. Plus pr\u00e9cis\u00e9ment, Samsung Foundry pourrait recevoir une commande de la part d’AMD pour la fabrication de puces utilisant le proc\u00e9d\u00e9 de gravure en 3 nm et la technologie GAAFET du fondeur<\/a>, baptis\u00e9e MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor<\/em>)<\/a>.<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Une technologie pour r\u00e9duire les courants de fuite et la consommation d’\u00e9nergie<\/h2>\n\n\n\n

La premi\u00e8re d\u00e9monstration d’un GAAFET (Gate-all-around FET<\/strong>, ou “transistors \u00e0 effet de champ \u00e0 grille enveloppante<\/em>“) fonctionnel date de 1988 ; une avanc\u00e9e que l’on doit \u00e0 l’\u00e9poque \u00e0 une \u00e9quipe de chercheurs chez Toshiba. Pourtant, cette technologie a par la suite \u00e9t\u00e9 laiss\u00e9e de c\u00f4t\u00e9, ne revenant que r\u00e9cemment sur le devant la sc\u00e8ne pour succ\u00e9der aux FinFETs.<\/p>\n\n\n\n

Sous les 7 nm, il devient en effet de plus en plus compliqu\u00e9 d’utiliser des transistors de ce type, l’\u00e9cart entre source et drain devenant trop proche pour contr\u00f4ler efficacement et sans fuite le passage des \u00e9lectrons.<\/p>\n\n\n\n

\"Samsung
\u00a9Samsung<\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n

Cr\u00e9\u00e9s par \u00e9pitaxie et enl\u00e8vement s\u00e9lectif de mat\u00e9riaux et enti\u00e8rement entour\u00e9s par la grille du transistor<\/strong>, les canaux horizontaux des GAAFETs r\u00e9pondent \u00e0 cette probl\u00e9matique. Il est au passage possible d’ajuster les canaux en modifiant leur largeur<\/strong> : plus larges pour am\u00e9liorer les performances, ou plus \u00e9troits pour r\u00e9duire la consommation d’\u00e9nergie.<\/p>\n\n\n\n

En pratique, ces canaux en forme de nano-feuilles empil\u00e9es<\/strong> permettent de r\u00e9duire de mani\u00e8re significative le courant de fuite des transistors, diminuant ainsi la consommation d’\u00e9nergie et la variabilit\u00e9 de performances, ce qui est particuli\u00e8rement b\u00e9n\u00e9fique pour les processeurs mobiles et les produits destin\u00e9s aux centres de donn\u00e9es.<\/p>\n\n\n\n

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